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    中析检测

    红外共焦激光失效分析仪

    原创版权
    咨询量:  
    更新时间：2025-04-04  /
    咨询工程师

    特性

    图像空间分辨率高

    背面观测(λ=1.3 μm)

    可观测高掺杂基底(Epi-sub)

    使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号

    可以测量4象限电压/电流

    可升级到微光显微镜(选配)

    应用

    漏电流路径定位

    IDDQ失效分析

    金属缺陷探测

    金属线缺陷探测(空，硅节)

    触控(过孔)异常阻抗部件探测

    金属化过程监控

    *:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。

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